Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
70 V
Drain current
3 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 42 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%330,04 ₽

Сумма · с НДС 22%330,04 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1330,04 ₽
от 10189,45 ₽
от 25168,19 ₽
от 50151,78 ₽
от 100135,56 ₽
от 250115,98 ₽
от 500104,98 ₽
от 100092,67 ₽
от 200079,81 ₽
от 300076,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяZXMN7A11GTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage70 V
Drain current3 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 3A; 2W; SOT223

Документация

Документ производителя