Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
5.7 A
Power dissipation
1.56 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN6A25N8TA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current5.7 A
Power dissipation1.56 W
КорпусSO8
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.7A; 1.56W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.