Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
6.7 A
Power dissipation
2 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяZXMN6A25GTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current6.7 A
Power dissipation2 W
КорпусSOT223
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.7A; 2W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.