Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2.6 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 277 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%300,93 ₽

Сумма · с НДС 22%300,93 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1300,93 ₽
от 10154,97 ₽
от 25141,63 ₽
от 50131,18 ₽
от 100120,73 ₽
от 50096,76 ₽
от 100085,23 ₽
от 150079,83 ₽
от 250073,52 ₽
от 500065,59 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяZXMN6A11DN8TA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2.6 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.6A; 1.25W; SO8

Документация

Документ производителя