Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
6.2 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN6A09GTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current6.2 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223

Документация

Документ производителя