DIODES INCORPORATED
Транзистор ZXMN6A07FTA
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 1.1 A
- Pulsed drain current
- 6.9 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.8 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 732 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%135,36 ₽
Сумма · с НДС 22%135,36 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 135,36 ₽ | |
| от 10 | 91,87 ₽ | |
| от 25 | 73,28 ₽ | |
| от 50 | 62,27 ₽ | |
| от 100 | 53,97 ₽ | |
| от 500 | 41,87 ₽ | |
| от 1000 | 38,80 ₽ | |
| от 1500 | 37,54 ₽ | |
| от 3000 | 35,74 ₽ | |
| от 9000 | 34,11 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | ZXMN6A07FTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 1.1 A |
| Pulsed drain current | 6.9 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.8 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.35 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.65nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 6.9A; 800mW; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.