Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.9 A
Pulsed drain current
16 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN3B14FTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.9 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 16A; 1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.