Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
8.9 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN3B04N8TA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current8.9 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSO8
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23.1nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 8.9A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.