Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.6 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 640 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%117,47 ₽

Сумма · с НДС 22%117,47 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1117,47 ₽
от 1096,03 ₽
от 10065,64 ₽
от 50060,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяZXMN3A14FQTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.6 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1W; SOT23

Документация

Документ производителя