DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 4.6 A
Power dissipation: 1.1 W
Корпус: SOT26

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	ZXMN3A03E6TA
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	4.6 A
Power dissipation	1.1 W
Корпус	SOT26
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	50 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26

Документация

Документ производителя