Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.1 A
Power dissipation
0.96 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN2F30FHTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.1 A
Power dissipation0.96 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23

Документация

Документ производителя