Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.1 A
Pulsed drain current
11.8 A
Power dissipation
0.625 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN2B01FTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.1 A
Pulsed drain current11.8 A
Power dissipation0.625 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 11.8A; 0.625W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.