Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.6 A
Power dissipation
1.1 W
Корпус
SOT26
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN10B08E6QTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.6 A
Power dissipation1.1 W
КорпусSOT26
On-state resistance0.23 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.1W; SOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.