Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.9 A
Power dissipation
2 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 290 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%268,89 ₽

Сумма · с НДС 22%268,89 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1268,89 ₽
от 10145,39 ₽
от 25130,03 ₽
от 50118,31 ₽
от 100107,17 ₽
от 50081,05 ₽
от 100069,91 ₽
от 200066,84 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяZXMN10A11GTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.9 A
Power dissipation2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223

Документация

Документ производителя