Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
7.1 A
Power dissipation
4.31 W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN10A09KTC
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current7.1 A
Power dissipation4.31 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252

Документация

Документ производителя