Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.9 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMN10A08E6TA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.9 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23
On-state resistance0.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.7nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 1.1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.