DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMHC10A07T8TA

SM8Изображение корпуса

Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100 V
Drain current: 1.4/-1.3 A
Рассеиваемая мощность: 1.3 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	ZXMHC10A07T8TA
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N/P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Kind of transistor	complementary pair
Drain-source voltage	100/-100 V
Drain current	1.4/-1.3 A
Рассеиваемая мощность	1.3 W
Корпус	SM8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	700 mΩ/1 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.9/3.5nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 1.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.