Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC
Type of transistor
N/P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100/-100 V
Drain current
0.9/-0.7 A
Рассеиваемая мощность
0.87 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 047 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%187,40 ₽

Сумма · с НДС 22%187,40 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1187,40 ₽
от 10156,77 ₽
от 50132,62 ₽
от 100121,81 ₽
от 500112,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяZXMHC10A07N8TC
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100/-100 V
Drain current0.9/-0.7 A
Рассеиваемая мощность0.87 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.9/1.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesMOSFET H-Bridge
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W

Документация

Документ производителя