DIODES INCORPORATED
Транзистор ZXMC6A09DN8TA
- Type of transistor
- N/P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Kind of transistor
- complementary pair
- Drain-source voltage
- 60/-60 V
- Drain current
- 4.8/-5.1 A
- Power dissipation
- 2.1 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | ZXMC6A09DN8TA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Drain-source voltage | 60/-60 V |
| Drain current | 4.8/-5.1 A |
| Power dissipation | 2.1 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.045/0.055 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.