Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMC10A816N8TA

ZXMC10A816N8TA
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
100/-100 V
Drain current
2.2/-2.1 A
Pulsed drain current
9.4 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMC10A816N8TA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage100/-100 V
Drain current2.2/-2.1 A
Pulsed drain current9.4 A
Рассеиваемая мощность2.4 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.23/0.235 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V

Документация

Документ производителя