Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-1.5A
Power dissipation
0.625W
Корпус
SOT26
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяZXM62P03E6TA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-1.5A
Power dissipation0.625W
КорпусSOT26
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.23Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26

Документация

Документ производителя