Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2.3 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Корпус
SOT23-6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXM62P02E6TA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2.3 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23-6
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.8nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; 1.1W; SOT23-6

Документация

Документы пока не предоставлены.