Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZVP3310A

ZVP3310A
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-0.14 A
Pulsed drain current
-1.2 A
Power dissipation
0.625 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяZVP3310A
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-0.14 A
Pulsed drain current-1.2 A
Power dissipation0.625 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -140mA; Idm: -1.2A; 625mW

Документация

Документы пока не предоставлены.