DIODES INCORPORATED
Транзистор ZVP2106GTA
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -0.45 A
- Рассеиваемая мощность
- 2 W
- Корпус
- SOT223
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 746 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%309,27 ₽
Сумма · с НДС 22%309,27 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 309,27 ₽ | |
| от 10 | 180,69 ₽ | |
| от 25 | 160,82 ₽ | |
| от 50 | 146,76 ₽ | |
| от 100 | 133,46 ₽ | |
| от 250 | 116,59 ₽ | |
| от 500 | 104,40 ₽ | |
| от 1000 | 92,59 ₽ | |
| от 2000 | 87,72 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | ZVP2106GTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -0.45 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 5 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.45A; 2W; SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.