DIODES INCORPORATED
Транзистор ZVNL120GTA
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200 V
- Drain current
- 0.32 A
- Pulsed drain current
- 2 A
- Рассеиваемая мощность
- 2 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 285 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%346,76 ₽
Сумма · с НДС 22%346,76 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 346,76 ₽ | |
| от 10 | 184,81 ₽ | |
| от 50 | 150,32 ₽ | |
| от 100 | 138,14 ₽ | |
| от 500 | 113,77 ₽ | |
| от 1000 | 104,96 ₽ | |
| от 2000 | 97,09 ₽ | |
| от 3000 | 92,78 ₽ | |
| от 5000 | 87,53 ₽ | |
| от 10000 | 81,35 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | ZVNL120GTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200 V |
| Drain current | 0.32 A |
| Pulsed drain current | 2 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 10 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.32A; Idm: 2A; 2W; SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.