DIODES INCORPORATED
Транзистор ZVNL120A
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200 V
- Drain current
- 0.18 A
- Pulsed drain current
- 2 A
- Power dissipation
- 0.7 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 847 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%263,12 ₽
Сумма · с НДС 22%263,12 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 263,12 ₽ | |
| от 10 | 154,06 ₽ | |
| от 25 | 137,28 ₽ | |
| от 50 | 126,03 ₽ | |
| от 100 | 115,36 ₽ | |
| от 500 | 93,24 ₽ | |
| от 1000 | 84,66 ₽ | |
| от 2000 | 76,84 ₽ | |
| от 4000 | 69,21 ₽ | |
| от 8000 | 66,35 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | ZVNL120A |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200 V |
| Drain current | 0.18 A |
| Pulsed drain current | 2 A |
| Power dissipation | 0.7 W |
| Корпус | TO92 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 10 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.18A; Idm: 2A; 0.7W; TO92
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.