DIODES INCORPORATED
Транзистор ZVN4525E6TA
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 250 V
- Drain current
- 0.23 A
- Pulsed drain current
- 1.44 A
- Power dissipation
- 1.1 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | ZVN4525E6TA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 250 V |
| Drain current | 0.23 A |
| Pulsed drain current | 1.44 A |
| Power dissipation | 1.1 W |
| Корпус | SOT26 |
| Gate-source voltage | ±40 V |
| On-state resistance | 8.5 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.23A; Idm: 1.44A; 1.1W; SOT26
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.