Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZVN4210GTA

ZVN4210GTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.8 A
Pulsed drain current
6 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZVN4210GTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.8 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; Idm: 6A; 2W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.