DIODES INCORPORATED
Транзистор ZVN4206GTA
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 1 A
- Рассеиваемая мощность
- 2 W
- Корпус
- SOT223
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 794 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%303,65 ₽
Сумма · с НДС 22%303,65 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 303,65 ₽ | |
| от 10 | 179,57 ₽ | |
| от 50 | 148,64 ₽ | |
| от 100 | 135,89 ₽ | |
| от 250 | 118,65 ₽ | |
| от 500 | 104,59 ₽ | |
| от 1000 | 90,53 ₽ | |
| от 2000 | 76,66 ₽ | |
| от 3000 | 73,85 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | ZVN4206GTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 1 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.