DIODES INCORPORATED
Транзистор ZVN3310FTA
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 0.1 A
- Pulsed drain current
- 2 A
- Power dissipation
- 0.33 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | ZVN3310FTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 0.1 A |
| Pulsed drain current | 2 A |
| Power dissipation | 0.33 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 10 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.1A; Idm: 2A; 0.33W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.