Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZVN3310ASTZ

ZVN3310ASTZ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
2 A
Power dissipation
0.625 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZVN3310ASTZ
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current2 A
Power dissipation0.625 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packageAmmo Pack
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.2A; Idm: 2A; 0.625W; TO92

Документация

Документы пока не предоставлены.