Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZVN2110GTA

ZVN2110GTA
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.5 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZVN2110GTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.5 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 2W; SOT223

Документация

Документ производителя