Антава

YANGJIE TECHNOLOGY

Транзистор YJSD12N03A

YJSD12N03A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TRENCH POWER LV
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
9.6 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 180 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%48,93 ₽

Сумма · с НДС 22%244,65 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 548,93 ₽
от 2535,64 ₽
от 10031,40 ₽
от 50027,94 ₽
от 800025,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяYJSD12N03A
ПроизводительYANGJIE TECHNOLOGY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTRENCH POWER LV
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current9.6 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A

Документация

Документ производителя