Антава

YANGJIE TECHNOLOGY

Транзистор YJS2022A

YJS2022A
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TRENCH POWER MV
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-10.4 A
Pulsed drain current
-55 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяYJS2022A
ПроизводительYANGJIE TECHNOLOGY
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTRENCH POWER MV
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-10.4 A
Pulsed drain current-55 A
Power dissipation3 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge72.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; -20V; -10.4A

Документация

Документ производителя