Антава

YANGJIE TECHNOLOGY

Транзистор YJQ4666B

YJQ4666B
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TRENCH POWER LV
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-16 V
Drain current
-5.6 A
Pulsed drain current
-28 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 500 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%13,12 ₽

Сумма · с НДС 22%262,40 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 2013,12 ₽
от 10010,12 ₽
от 5008,96 ₽
от 30008,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяYJQ4666B
ПроизводительYANGJIE TECHNOLOGY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTRENCH POWER LV
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-16 V
Drain current-5.6 A
Pulsed drain current-28 A
Рассеиваемая мощность2.2 W
КорпусDFN2020-6
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W

Документация

Документ производителя