Антава

YANGJIE TECHNOLOGY

Транзистор YJQ35N04A

YJQ35N04A
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TRENCH POWER LV
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
23 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяYJQ35N04A
ПроизводительYANGJIE TECHNOLOGY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTRENCH POWER LV
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current23 A
Pulsed drain current120 A
Рассеиваемая мощность40 W
КорпусDFN3.3x3.3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W

Документация

Документ производителя