Антава

YANGJIE TECHNOLOGY

Транзистор YJH03N10A

YJH03N10A
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TRENCH POWER MV
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.4 A
Pulsed drain current
12 A

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 780 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%27,97 ₽

Сумма · с НДС 22%279,70 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1027,97 ₽
от 10019,55 ₽
от 50017,57 ₽
от 300015,60 ₽
от 1000013,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяYJH03N10A
ПроизводительYANGJIE TECHNOLOGY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTRENCH POWER MV
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.4 A
Pulsed drain current12 A
Рассеиваемая мощность4 W
КорпусSOT89
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W

Документация

Документ производителя