TOSHIBA
Транзистор XPH4R714MC,L1XHQ(O
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -40 V
- Drain current
- -60 A
- Рассеиваемая мощность
- 132 W
- On-state resistance
- 4.7 mΩ
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 735 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%312,24 ₽
Сумма · с НДС 22%14 050,80 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 45 | 312,24 ₽ | |
| от 50 | 292,39 ₽ | |
| от 100 | 274,34 ₽ | |
| от 300 | 238,24 ₽ | |
| от 500 | 236,44 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | XPH4R714MC,L1XHQ(O |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -40 V |
| Drain current | -60 A |
| Рассеиваемая мощность | 132 W |
| On-state resistance | 4.7 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -40V; -60A; 132W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.