TOSHIBA
Транзистор XPH3R114MC,L1XHQ(O
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -40 V
- Drain current
- -100 A
- Рассеиваемая мощность
- 170 W
- On-state resistance
- 3.1 mΩ
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 5 188 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%494,60 ₽
Сумма · с НДС 22%14 343,40 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 29 | 494,60 ₽ | |
| от 30 | 389,80 ₽ | |
| от 50 | 367,73 ₽ | |
| от 100 | 351,19 ₽ | |
| от 300 | 307,06 ₽ | |
| от 500 | 305,22 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | XPH3R114MC,L1XHQ(O |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -40 V |
| Drain current | -100 A |
| Рассеиваемая мощность | 170 W |
| On-state resistance | 3.1 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -40V; -100A; 170W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.