Антава

TOREX

Транзистор XP263N1001TR-G

XP263N1001TR-G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
1 A
Pulsed drain current
2 A
Power dissipation
0.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяXP263N1001TR-G
ПроизводительTOREX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current1 A
Pulsed drain current2 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.33 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.