TOREX
Транзистор XP162A11C0PR-G
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -2.5 A
- Pulsed drain current
- -10 A
- Рассеиваемая мощность
- 2 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 14 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%224,87 ₽
Сумма · с НДС 22%224,87 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 224,87 ₽ | |
| от 10 | 140,26 ₽ | |
| от 50 | 110,22 ₽ | |
| от 100 | 98,42 ₽ | |
| от 200 | 87,18 ₽ | |
| от 500 | 75,57 ₽ | |
| от 1000 | 70,78 ₽ | |
| от 2000 | 65,62 ₽ | |
| от 10000 | 61,75 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | XP162A11C0PR-G |
|---|---|
| Производитель | TOREX |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -2.5 A |
| Pulsed drain current | -10 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Корпус | SOT89-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.28 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A; 2W; SOT89-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.