Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор WSJM65R170XQ

WSJM65R170XQ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
72 A
Рассеиваемая мощность
36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWSJM65R170XQ
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current14 A
Pulsed drain current72 A
Рассеиваемая мощность36 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 72A; 36W; TO220FP

Документация

Документ производителя