Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор WSJM65R099DQ

WSJM65R099DQ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
128 A
Power dissipation
240 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWSJM65R099DQ
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Pulsed drain current128 A
Power dissipation240 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3

Документация

Документ производителя