Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор WNSCM80120R6Q

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
32 A
Pulsed drain current
81 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWNSCM80120R6Q
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current32 A
Pulsed drain current81 A
Рассеиваемая мощность270 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-10...25 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge59nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W

Документация

Документ производителя