Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор WNSC2M60120R6Q

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
43.2 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWNSC2M60120R6Q
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current43.2 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation417 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance93 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge83nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43.2A; Idm: 120A; 417W

Документация

Документ производителя