Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор WNSC2M40120R6Q

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
52A
Pulsed drain current
100A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяWNSC2M40120R6Q
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current52A
Pulsed drain current100A
Power dissipation405W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-12...22V
On-state resistance55mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W

Документация

Документ производителя