Антава

WEEN SEMICONDUCTORS

Транзистор WNSC2M20120R6Q

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
94 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWNSC2M20120R6Q
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current94 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation750 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-12...22 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W

Документация

Документ производителя