WEEN SEMICONDUCTORS

Диод WNSC04650T6J

DFN8x8NИзображение корпуса

Type of diode: Schottky rectifying
Корпус: DFN8x8N
Технология: SiC
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 650 V
Load current: 4 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	WNSC04650T6J
Производитель	WEEN SEMICONDUCTORS
Type of diode	Schottky rectifying
Корпус	DFN8x8N
Технология	SiC
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	650 V
Load current	4 A
Semiconductor structure	single diode
Max. forward voltage	1.7 V
Max. forward impulse current	24 A
Kind of package	reel, tape

Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape

Документация

Документы пока не предоставлены.