Антава

WAYON

Транзистор WMT4N65D1B

WMT4N65D1B
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
4 A
Корпус
SOT223
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяWMT4N65D1B
ПроизводительWAYON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current4 A
КорпусSOT223
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.55 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.