WAYON

Транзистор WMT04N10TS

WMT04N10TS

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 3.5 A
Pulsed drain current: 14 A
Power dissipation: 3.1 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	WMT04N10TS
Производитель	WAYON
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	3.5 A
Pulsed drain current	14 A
Power dissipation	3.1 W
Корпус	SOT223
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.13 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.